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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:23.1 ns
功率耗散:25 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tube
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):1.5 Ohms at 10 V (Typ)
漏极连续电流:4.4 A
闸/源击穿电压:+/- 30 V
汲极/源极击穿电压:520 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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