STF6N65K3

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-220-3 整包
数量：: 306
说明：: MOSFET N-Ch 650V 1.1 Ohm 5.4A SuperMESH3

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：54 ns
上升时间：15 ns
功率耗散：30 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：35 nC
下降时间：22 ns
包装形式：Tube
封装形式：TO-220FP
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.3 Ohms
漏极连续电流：5.4 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：650 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

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