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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:1100 ns
工厂包装数量:10
上升时间:380 ns
功率耗散:500 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :60 S
下降时间:300 ns
包装形式:Tube
封装形式:ISOTOP
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.0055 Ohms
漏极连续电流:220 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
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