STE40NK90ZD

厂家：: STMicroelectronics
封装：: ISOTOP?
数量：: 3951
说明：: MOSFET N-Ch 900 Volt 40 Amp

一、本商品被浏览0次.

STE40NK90ZD PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：450 ns
工厂包装数量：10
上升时间：102 ns
功率耗散：600 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：35 S
下降时间：200 ns
包装形式：Tube
封装形式：ISOTOP
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.18 Ohms
漏极连续电流：40 A
闸/源击穿电压：+/- 30 V
汲极/源极击穿电压：900 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STE40NK90ZD的详细信息，包括STE40NK90ZD厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：