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STD9N10

厂家：: STMicroelectronics
封装：: DPAK
数量：: 1206
说明：: MOSFET RO 511-STD10NF10 TO-252 N-CH 100V 9A

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STD9N10 PDF参数资料

中文参数如下：

工厂包装数量：75
上升时间：40 ns
功率耗散：45 W
最小工作温度：- 65 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4 S
下降时间：25 ns
包装形式：Tube
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.23 Ohms
漏极连续电流：9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

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