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STD9NM50N-1

厂家：: STMicroelectronics
封装：: I-PAK
数量：: 3699
说明：: MOSFET N-Channel 500V Pwr Mosfet

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STD9NM50N-1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：45 ns
上升时间：16 ns
功率耗散：70 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：19 ns
包装形式：Tube
封装形式：DPAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.56 Ohms
漏极连续电流：7.5 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STD9NM50N-1的详细信息，包括STD9NM50N-1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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