STB25NM50N

厂家：: STMicroelectronics
封装：: D2PAK
数量：: 6102
说明：: MOSFET N Ch 550V TJMAX 0.12 Ohm 21.5A

一、本商品被浏览0次.

STB25NM50N PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：75 ns
工厂包装数量：1000
上升时间：23 ns
功率耗散：160 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：22 ns
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.14 Ohms
漏极连续电流：22 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB25NM50N的详细信息，包括STB25NM50N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：