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STB28NM50N

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 6656  
说明：
 MOSFET N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
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STB28NM50N-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

STB28NM50N PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：62 ns
上升时间：19 ns
功率耗散：150 W
栅极电荷 Qg：50 nC
下降时间：52 ns
包装形式：Reel
封装形式：TO-263
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.158 Ohms
漏极连续电流：21 A
汲极/源极击穿电压：500 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB28NM50N的详细信息，包括STB28NM50N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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