STB30NM50N

厂家:
  STMicroelectronics
封装:
 TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
数量:
 6300  
说明:
 MOSFET N-ch 500 Volt 27Amp Power MDmesh
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STB30NM50N PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:115 ns
上升时间:20 ns
功率耗散:190 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:60 ns
包装形式:Reel
封装形式:D2PAK
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.115 Ohms
漏极连续电流:27 A
闸/源击穿电压:+/- 25 V
汲极/源极击穿电压:500 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STB30NM50N的详细信息,包括STB30NM50N厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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