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STB11NM60N-1

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 I2PAK
数量：
 4554  
说明：
 MOSFET N-Channel 650V Pwr Mosfet
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STB11NM60N-1-I2PAK图片

STB11NM60N-1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：50 ns
上升时间：18.5 ns
功率耗散：90 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.45 Ohms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：+/- 25 V
汲极/源极击穿电压：600 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB11NM60N-1的详细信息，包括STB11NM60N-1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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