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STB120N4LF6

厂家：
  STMicroelectronics
封装：
 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
数量：
 2179  
说明：
 MOSFET N-Ch 40V 3.1 Ohm STripFET VI DeepGATE
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STB120N4LF6-TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB图片

STB120N4LF6 PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：110 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：80 nC
包装形式：Reel
封装形式：D2PAK
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：4 mOhms
漏极连续电流：80 A
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STB120N4LF6的详细信息，包括STB120N4LF6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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