点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:3000
功率耗散:500 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:ES-6
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):38 mOhms
漏极连续电流:- 4 A
汲极/源极击穿电压:- 12 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是SSM6J51TUTE85LF的详细信息,包括SSM6J51TUTE85LF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!