中文参数如下:
工厂包装数量:4000
功率耗散:500 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.136 Ohms at 2.5 V (Typ)
漏极连续电流:1.8 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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