SSM6J07FUTE85LF

厂家:
  Toshiba
封装:
 ES-6
数量:
 7706  
说明:
 MOSFET Vds=-30V Id=-800mA 6Pin
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SSM6J07FUTE85LF PDF参数资料

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中文参数如下:

工厂包装数量:3000
功率耗散:300 mW
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:ES-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):450 mOhms
漏极连续电流:0.8 A
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是SSM6J07FUTE85LF的详细信息,包括SSM6J07FUTE85LF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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