SSM6J212FE,LF

厂家：: Toshiba
封装：: SOT-563，SOT-666
数量：: 6372
说明：: MOSFET P-Ch U-MOS VI FET ID -4A -20VDSS 500mW

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SSM6J212FE,LF PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：500 mW
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：14.1 nC
包装形式：Reel
封装形式：ES-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：94 mOhms
漏极连续电流：- 4 A
闸/源击穿电压：8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

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