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中文参数如下:
工厂包装数量:3000
功率耗散:800 mW
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :2.7 S / 1.3 S
包装形式:Reel
封装形式:UFM
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.189 Ohms
漏极连续电流:- 1.7 A
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
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