点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
工厂包装数量:3000
功率耗散:800 mW
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5.4 S / 2.7 S
包装形式:Reel
封装形式:UFM
安装风格:SMD/SMT
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.126 Ohms
漏极连续电流:- 2.2 A
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是SSM3J115TU(TE85L)的详细信息,包括SSM3J115TU(TE85L)厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!