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中文参数如下:
零件号别名:SQ3469EV-GE3
典型关闭延迟时间:32 nS
上升时间:10 nS
功率耗散:5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:17.7 nC
下降时间:10 nS
包装形式:Reel
封装形式:TSOP-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.036 Ohms at - 10 V
漏极连续电流:- 8 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:- 20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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