首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SQ4401EY-T1-GE3

SQ4401EY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SO-8
数量：: 4410
说明：: MOSFET 40V 17.3A 7.14W P-Ch Automotive

一、本商品被浏览0次.

SQ4401EY-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SQ4401EY-GE3
典型关闭延迟时间：67 nS
上升时间：76 nS
功率耗散：7.14 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：74 nC
下降时间：44 nS
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：11 mOhms
漏极连续电流：- 17.3 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：- 40 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SQ4401EY-T1-GE3的详细信息，包括SQ4401EY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：