SQ3460EV-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: TSOP-6
数量：: 4613
说明：: MOSFET 20V 8A 3.6W N-Ch Automotive

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SQ3460EV-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SQ3460EV-GE3
典型关闭延迟时间：21 nS
上升时间：8 nS
功率耗散：3.6 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9.3 nC
下降时间：8 nS
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms at 4.5 V
漏极连续电流：8 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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