SPP08P06P H

厂家:
  Infineon Technologies
封装:
 PG-TO-220-3
数量:
 2019  
说明:
 MOSFET SIPMOS Power Transistor
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SPP08P06P H PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SP000446908 SPP08P06PHXK SPP08P06PHXKSA1
功率耗散:42 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Tube
封装形式:PG-TO-220-3
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.3 Ohms
漏极连续电流:- 8.8 A
闸/源击穿电压:- 3 V
汲极/源极击穿电压:- 60 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
制造商:Infineon

以上是SPP08P06P H的详细信息,包括SPP08P06P H厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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