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SP8M6TB

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: 8-SOP
数量：: 909
说明：: MOSFET

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns, 35 ns
上升时间：8 ns, 15 ns
功率耗散：2 W
下降时间：5 ns, 10 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.051 Ohms
漏极连续电流：+/- 5 A, +/- 3.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
制造商：ROHM Semiconductor

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