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SP8M8FU6TB

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: 8-SOP
数量：: 1863
说明：: MOSFET SWITCHING Nch/Pch 4V

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SP8M8FU6TB PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：36 ns, 60 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：21 ns, 25 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：13 ns, 25 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOP-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.03 Ohms
漏极连续电流：+/- 6 A, +/- 4.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

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