SIR642DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 2709
说明：: MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V

一、本商品被浏览0次.

SIR642DP-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

商标名：PowerPAK SO-8
功率耗散：83 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：27.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：70 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0024 Ohms at 10 V
漏极连续电流：60 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIR642DP-T1-GE3的详细信息，包括SIR642DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：