SIA421DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6
数量：: 27680
说明：: MOSFET 30V 12A 19W 35mohm @ 10V

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SIA421DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SIA421DJ-GE3
典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：110 ns
功率耗散：3.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：15 S
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6L
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：35 mOhms
漏极连续电流：7.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SIA421DJ-T1-GE3的详细信息，包括SIA421DJ-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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