SIA416DJ-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SC-70-6
数量：: 11187
说明：: MOSFET 100V 83mOhm@10V 11.3A N-Ch MV T-FET

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SIA416DJ-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

商标名：TrenchFET Power MOSFET
功率耗散：19 W
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SC-70-6L Single
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：83 mOhms at 10 V
漏极连续电流：11.3 A
闸/源击穿电压：3 V
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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