SI9955DY

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 8-SOIC
数量:
 1197  
说明:
 MOSFET SO8 DUAL NCH
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SI9955DY PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI9955DY_NL
典型关闭延迟时间:20 ns
工厂包装数量:2500
上升时间:7.5 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :5.3 S
下降时间:7 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.13 Ohms
漏极连续电流:3 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:50 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是SI9955DY的详细信息,包括SI9955DY厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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