SI9958DY

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 3564
说明：: MOSFET 20V 3.5A 2W

一、本商品被浏览0次.

SI9958DY PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns, 12 ns
工厂包装数量：100
上升时间：12 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：9 ns, 11 ns
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
漏极连续电流：3.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI9958DY的详细信息，包括SI9958DY厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：