SI9958DY

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SOIC-8 Narrow
数量:
 3564  
说明:
 MOSFET 20V 3.5A 2W
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SI9958DY PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:17 ns, 12 ns
工厂包装数量:100
上升时间:12 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:9 ns, 11 ns
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.1 Ohms
漏极连续电流:3.5 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:否
制造商:Vishay

以上是SI9958DY的详细信息,包括SI9958DY厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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