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SI9942DY

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 855
说明：: MOSFET 20V 3/2.5A 2W

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：17 ns, 20 ns
工厂包装数量：100
上升时间：10 ns, 12 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：7 nC, 6.7 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4.8 S, 3 S
下降时间：10 ns, 10 ns
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：70 mOhms, 120 mOhms
漏极连续电流：3 A, 2.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N and P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

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