首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI9945AEY-T1-E3

SI9945AEY-T1-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 873  
说明：
 MOSFET S0-8 60V 3.7A 2.4W
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SI9945AEY-T1-E3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI9945AEY-E3
典型关闭延迟时间：21 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：2500
上升时间：10 ns
功率耗散：2.4 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：8 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：80 mOhms
漏极连续电流：3.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI9945AEY-T1-E3的详细信息，包括SI9945AEY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • SQJ443EP-T1_BE3
  • SQJ433EP-T1_BE3
  • SIR586DP-T1-RE3
  • SIR576DP-T1-RE3
  • ISZ0602NLSATMA1
  • IRF820PBF-BE3
  • STD6N65M2
  • BUK7Y19-100EX
  • SQJ433EP-T1_GE3
  • SQJ443EP-T1_GE3

    • 相近型号推荐

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC