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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:35 ns
工厂包装数量:100
上升时间:13 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:9 ns
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):50 mOhms
漏极连续电流:5 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay
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