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SI9926BDY-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SO-8
数量：
 5544  
说明：
 MOSFET NCh Dual MOSFET 2.5V
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SI9926BDY-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：31 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：100
上升时间：50 ns
功率耗散：1.14 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：50 ns
包装形式：Tube
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
漏极连续电流：6.2 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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