SI9926BDY-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 SO-8
数量:
 5544  
说明:
 MOSFET NCh Dual MOSFET 2.5V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SI9926BDY-E3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:31 ns
商标名:TrenchFET
工厂包装数量:100
上升时间:50 ns
功率耗散:1.14 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:50 ns
包装形式:Tube
封装形式:SO-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):20 mOhms
漏极连续电流:6.2 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Vishay

以上是SI9926BDY-E3的详细信息,包括SI9926BDY-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC