SI8425DB-T1-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-WLCSP（1.6x1.6）
数量：: 2502
说明：: MOSFET -20V 23mOhm@4.5V 9.3A P-Ch G-III

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：600 ns
商标名：MICROFOOT TrenchFET
上升时间：50 ns
功率耗散：2.7 W
栅极电荷 Qg：110 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：18 S
下降时间：200 ns
包装形式：Reel
封装形式：MICRO FOOT 1.6 x 1.6
安装风格：SMD/SMT
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：23 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 9.3 A
闸/源击穿电压：- 0.9 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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