SI8429DB-T1-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 4-XFBGA，CSPBGA
数量：: 32739
说明：: MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V

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SI8429DB-T1-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI8429DB-E1
典型关闭延迟时间：260 ns
商标名：TrenchFET/MICRO FOOT
工厂包装数量：3000
上升时间：25 ns
功率耗散：2.77 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：0.7 S
下降时间：155 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.043 Ohms
漏极连续电流：- 7.8 A
闸/源击穿电压：+/- 5 V
汲极/源极击穿电压：- 8 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI8429DB-T1-E1的详细信息，包括SI8429DB-T1-E1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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