SI8410DB-T2-E1

厂家：: Vishay Siliconix
封装：: 4-Micro Foot（1x1）
数量：: 1926
说明：: MOSFET N-CH 20V 4MICRO FOOT

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SI8410DB-T2-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：780mW（Ta），1.8W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：620 pF @ 10 V
Vgs（最大值）：±8V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：16 nC @ 8 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：850mV @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：37 毫欧 @ 1.5A，4.5V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：3.8A（Ta）
漏源电压（Vdss）：20 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：TrenchFET?
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Vishay Siliconix

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