SI8419DB-T1-E1

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: Micro Foot-4
数量：: 1503
说明：: MOSFET 8.0V 11.7A 6.25W 35mohm @ 4.5V

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SI8419DB-T1-E1 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI8419DB-E1
典型关闭延迟时间：260 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：25 ns
功率耗散：2.77 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：155 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro Foot-4
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.035 Ohms
漏极连续电流：7.8 A
闸/源击穿电压：+/- 5 V
汲极/源极击穿电压：- 8 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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