SI7970DP-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK SO-8
数量：: 1278
说明：: MOSFET 40V 10.2A 3.5W 19mohm @ 10V

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SI7970DP-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI7970DP-E3
典型关闭延迟时间：16 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：50 ns
功率耗散：1.4 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：50 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：19 mOhms
漏极连续电流：6.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：40 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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