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SI7997DP-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? SO-8 双
数量：
 26348  
说明：
 MOSFET -30V 5.5mOhm@10V 60A P-Ch G-III
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SI7997DP-T1-GE3-PowerPAK? SO-8 双图片

SI7997DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI7997DP-GE3
功率耗散：46 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：106 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：71 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：5.5 mOhms at 10 V
漏极连续电流：- 60 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

以上是SI7997DP-T1-GE3的详细信息，包括SI7997DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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