SI7956DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8 双
数量：: 8856
说明：: MOSFET 150V 4.1A 3.5W 105mohm @ 10V

一、本商品被浏览0次.

SI7956DP-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI7956DP-GE3
工厂包装数量：3000
功率耗散：1.4 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：105 mOhms
漏极连续电流：2.6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7956DP-T1-GE3的详细信息，包括SI7956DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管两极晶体管 - BJT JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器

MOSFET最新产品：