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SI7846DP-T1

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK SO-8
数量：
 180  
说明：
 MOSFET 150V 6.7A 5.2W
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SI7846DP-T1-PowerPAK SO-8图片

SI7846DP-T1 PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：3000
上升时间：7 ns
功率耗散：1.9 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：50 mOhms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7846DP-T1的详细信息，包括SI7846DP-T1厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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