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SI7846DP-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? SO-8
数量：
 927  
说明：
 MOSFET 150V 6.7A 5.2W 50mohm @ 10V
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SI7846DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI7846DP-GE3
典型关闭延迟时间：22 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：1.9 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：50 mOhms
漏极连续电流：4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：150 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7846DP-T1-GE3的详细信息，包括SI7846DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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