SI7137DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 14251
说明：: MOSFET -20V 1.95mOhm@10V 60A P-Ch G-III

一、本商品被浏览0次.

SI7137DP-T1-GE3 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

零件号别名：SI7137DP-GE3
典型关闭延迟时间：230 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：150 ns
功率耗散：104 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：95 S
下降时间：110 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.95 mOhms at 10 V
漏极连续电流：42 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI7137DP-T1-GE3的详细信息，包括SI7137DP-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他电源管理 IC产品：

软开关 PWM 控制器低压差控制器 - LDO 反馈回路功率控制器功率因数校正 IC 电压模式 PWM 控制器

开关变换器、稳压器与控制器最新产品：