SI7143DP-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: PowerPAK? SO-8
数量：: 8002
说明：: MOSFET 30V 35A P-CH MOSFET

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SI7143DP-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI7143DP-GE3
功率耗散：35.7 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：47.5 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：37 S
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0083 Ohms
漏极连续电流：- 35 A
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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