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SI5908DC-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 1206-8 ChipFET?
数量：
 6201  
说明：
 MOSFET N-CH 20V 1206-8
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SI5908DC-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：2 个 N 沟道（双）
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：40 毫欧 @ 4.4A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4.4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：7.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：-
功率 - 最大：1.1W
安装类型：表面贴装

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