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SI5913DC-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SMD，扁平引线
数量：
 6210  
说明：
 MOSFET P-CH 1206-8
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SI5913DC-T1-GE3-8-SMD，扁平引线图片

SI5913DC-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：二极管（隔离式）
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：84 毫欧 @ 3.7A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：4A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：12nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：330pF @ 10V
功率 - 最大：3.1W
安装类型：表面贴装

以上是SI5913DC-T1-GE3的详细信息，包括SI5913DC-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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