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SI5857DU-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? CHIPFET? 单
数量：
 5121  
说明：
 MOSFET 20V 6.0A 10.4W 58mohm @ 4.5V
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SI5857DU-T1-GE3-PowerPAK? CHIPFET? 单图片

SI5857DU-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5857DU-GE3
典型关闭延迟时间：33 ns, 25 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：42 ns, 15 ns
功率耗散：2.3 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：50 ns, 10 ns
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK-8 ChipFET Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：58 mOhms
漏极连续电流：5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5857DU-T1-GE3的详细信息，包括SI5857DU-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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