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SI5902DC-T1-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 1206-8 ChipFET?
数量：
 5517  
说明：
 MOSFET 30V 3.9A 2.1W
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SI5902DC-T1-E3-1206-8 ChipFET?图片

SI5902DC-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5902DC-E3
典型关闭延迟时间：12 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：12 ns
功率耗散：1.1 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：12 ns
包装形式：Reel
封装形式：1206-8 ChipFET
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：85 mOhms
漏极连续电流：2.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5902DC-T1-E3的详细信息，包括SI5902DC-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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