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SI5858DU-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 PowerPAK? CHIPFET? 单
数量：
 5139  
说明：
 MOSFET 20V 6.0A 8.3W 39mohm @ 4.5V
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SI5858DU-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI5858DU-GE3
典型关闭延迟时间：40 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：2.3 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：PowerPAK-8 ChipFET Dual
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：39 mOhms
漏极连续电流：7.2 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI5858DU-T1-GE3的详细信息，包括SI5858DU-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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