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SI4946BEY-T1-E3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC
数量：
 4212  
说明：
 MOSFET 60V 6.5A 3.7W
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SI4946BEY-T1-E3-8-SOIC图片

SI4946BEY-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4946BEY-E3
典型关闭延迟时间：20 ns, 25 ns
商标名：TrenchFET
工厂包装数量：2500
上升时间：120 ns, 12 ns
功率耗散：3.7 W
最小工作温度：- 50 C
下降时间：30 ns, 10 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：41 mOhms
漏极连续电流：6.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4946BEY-T1-E3的详细信息，包括SI4946BEY-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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