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SI4946BEY-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 8-SOIC
数量：
 4221  
说明：
 MOSFET 60V 6.5A 3.7W 41mohm @ 10V
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SI4946BEY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4946BEY-GE3
典型关闭延迟时间：20 ns, 25 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：3.7 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：9.2 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值） ：24 S
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：41 mOhms
漏极连续电流：6.5 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4946BEY-T1-GE3的详细信息，包括SI4946BEY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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